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图二、真谛直DFT计算和能带结构的实验分析（a-c）单层、双层和三层SnS的能带结构。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，真谛直投稿邮箱：[email protected].投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaokefu.。

真谛直（h）Sn-S3d5/2和3d3/2的XPS光谱在486.1eV和494.5eV处出现峰。它还为集成光电电路、真谛直传感和生物医学成像中的可扩展应用提供了重要的技术启示。图三、真谛直不同厚度SnS层的表征（a）在SiO2/Si基底上制备SnS光电探测器的示意图。

因此，真谛直该工作为大面积合成代表性材料的超薄层提出了一条新途径，并且该材料适用于高性能光电探测器。（b）在光电探测器中，真谛直传导通道的单元晶格厚SnS的光学显微镜图像。

（c）在硫化物环境中，真谛直合成SnS的TEM图像。

研究发现，真谛直这些大面积SnS层存在从深紫外（UV）到近红外（NIR）（280-850nm）波长范围内的宽带光谱响应，具有快速的光检测能力。在卤素空位缺陷驱动和胺配体辅助作用下，真谛直纳米线沿[011]晶向生长，并发生自组装，促进表面缺陷的自愈合，从而实现91%的量子产率。

最近，真谛直绿色(~525nm)、深红(650-680nm)和近红外(~800nm) PeLED已经实现了20%以上的外量子效率(EQE)。(a)初始NCs、真谛直中间相NWs和自组装NWs的XRD图谱、(b)FTIR光谱和(c)高分辨率XPS光谱。

然而，真谛直红光发射(620~650nm)PeLEDs通常是通过由溴和碘阴离子混合钙钛矿实现的，真谛直混合卤素产生的缺陷位点会加快离子迁移速度，增加非辐射损失，导致器件运行时相分离，影响了它们的实际应用。真谛直【图片导读】图1.晶体的结构表征。